Bilayer Graphene Film Si-SIO2 -10mm X 10mm (cod 080104)

film di grafene trilayer
Graphene Film
  • · Growth method: CVD synthesis
  • · Appearance (color): Transparent
  • · Transparency: > 97%
  • · Coverage: > 98%
  • · Number of graphene layers: 1
  • · Thickness (theoretical): 0.345 nm
  • · FET Electron Mobility on Al2O3 passivated SiO₂/Si: 6900 cm2 /Vs
  • · FET Electron Mobility on SiO₂/Si: 3760 cm2/Vs
  • · Sheet Resistance on SiO2/Si: 450±40 Ohms/sq (1cm x1cm)
  • · Grain size: Up to 20 μm
Substrate SiO₂/Si
  • · Dry Oxide Thickness: 300 nm (+/-5%)
  • · Type/Dopant: P/Bor
  • · Orientation: <100>
  • · Resistivity: <0.005 ohm·cm
  • · Thickness: 525 +/- 20 μm
  • · Front surface: Single Side Polished
  • · Back Surface: Etched
  • · Particles: <10@0.3 μm

 

La nostra lastra monostrato di film di grafene su Si-SiO2 10mm x 10mm viene cresciuta su una lamina di rame dello spessore di 50 micron che viene rivestita con un singolo strato atomico di grafene che viene realizzato tramite deposizione chimica da vapore (CVD). Per i prodotti su substrati di Si-SiO2, il grafene viene trasferito alla superficie del substrato utilizzando un processo di trasferimento a umido. La sua qualità, forma, dimensioni e applicazioni ne fanno un prodotto di riferimento nel mercato dei grafene.

119,00 €/confezione iva escl.     Quantità confezioni