Monolayer Graphene Film on Si-SIO2 – 4″ round wafer (cod 080103)

grafene su silicio Graphene Film
  • · Growth method: CVD synthesis
  • · Appearance (color): Transparent
  • · Transparency: > 97%
  • · Coverage: > 98%
  • · Number of graphene layers: 1
  • · Thickness (theoretical): 0.345 nm
  • · FET Electron Mobility on Al2O3 passivated SiO₂/Si: 6900 cm2 /Vs
  • · FET Electron Mobility on SiO₂/Si: 3760 cm2/Vs
  • · Sheet Resistance on SiO2/Si: 450±40 Ohms/sq (1cm x1cm)
  • · Grain size: Up to 20 μm
Substrate SiO₂/Si
  • · Dry Oxide Thickness: 300 nm (+/-5%)
  • · Type/Dopant: P/Bor
  • · Orientation: <100>
  • · Resistivity: <0.005 ohm·cm
  • · Thickness: 525 +/- 20 μm
  • · Front surface: Single Side Polished
  • · Back Surface: Etched
  • · Particles: <10@0.3 μm

 

Il nostro grafene monostrato su SiO2 / Si (Wafer da 4 pollici , completamente coperto) è un materiale bidimensionale prodotto da CVD e trasferito su un substrato circolare di Si / SiO2 (300 nm) mediante un processo di trasferimento a umido. Riteniamo che sia un prodotto di riferimento nel mercato del grafene, non solo per la sua eccellente qualità, ma anche per forma, dimensioni e numero di applicazioni.

763,00 €/foglio iva escl.     Quantità fogli