Monolayer Graphene Film Si-SIO2 – 10mm X 10mm (cod 080101)

grafene su silicio
Graphene Film
  • · Growth method: CVD synthesis
  • · Appearance (color): Transparent
  • · Transparency: > 97%
  • · Coverage: > 98%
  • · Number of graphene layers: 1
  • · Thickness (theoretical): 0.345 nm
  • · FET Electron Mobility on Al2O3 passivated SiO₂/Si: 6900 cm2 /Vs
  • · FET Electron Mobility on SiO₂/Si: 3760 cm2/Vs
  • · Sheet Resistance on SiO2/Si: 450±40 Ohms/sq (1cm x1cm)
  • · Grain size: Up to 20 μm
Substrate SiO₂/Si
  • · Dry Oxide Thickness: 300 nm (+/-5%)
  • · Type/Dopant: P/Bor
  • · Orientation: <100>
  • · Resistivity: <0.005 ohm·cm
  • · Thickness: 525 +/- 20 μm
  • · Front surface: Single Side Polished
  • · Back Surface: Etched
  • · Particles: <10@0.3 μm

Il nostro film monolayer di grafene su Si-SiO2 - 10mm X 10mm viene realizzato su un foglio di rame di 50 micron di spessore, rivestito con un singolo strato atomico di grafene, che viene ottenuto tramite deposizione chimica in fase vapore (CVD). Per i prodotti su substrati Si-SiO2, viene trasferito sul substrato utilizzando un processo di trasferimento a umido. Un monostrato di grafene su Si-SiO2 - 10 mm X 10 mm è flessibile e consente il suo utilizzo nell'elettronica flessibile, un settore in crescita. Il nostro film monostrato in confezione da 4 film di grafene presenta il giusto mix di piccole dimensioni ed economicità per dare il via ai tuoi progetti di ricerca e sviluppo.

Ogni confezione contiene 4 film da 10 x 10 mm

194,00 €/confezione iva escl.     Quantità confezioni